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東芝半導體公司完整型號：GT30J121(Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

系列：-

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30A

Current - Collector Pulsed (Icm)：60A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A

功率 - 最大值：170W

Switching Energy：1mJ （開）， 800μJ （關）

輸入類型：標準

Gate Charge：-

25°C 時 Td（開/關）值：90ns/300ns

Test Condition：300V， 30A， 24 歐姆， 15V

反向恢復時間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-3P（N）