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TI德州儀器公司完整型號(hào)：CSD25211W1015

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：4.1nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：570pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UFBGA，DSBGA

供應(yīng)商器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）