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TI德州儀器公司完整型號：CSD18563Q5AT

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：100A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：6.8 mOhm @ 18A、 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1500pF @ 30V

功率 - 最大值：3.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：8-VSON （5x6）