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TI德州儀器公司完整型號(hào)：CSD18502Q5B

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：26A（Ta），100A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：68nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5070pF @ 20V

功率 - 最大值：3.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：8-SON（5x6）