- 產品型號：KMRE1000BM-B512
- 制 造 商：三星半導體（Samsung）
- 出廠封裝：221FBGA
- 功能類別：多制層封裝芯片
- 功能描述：SAMSUNG DRAM NAND
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三星芯片型號：KMRE1000BM-B512
制造商：SAMSUNG（三星半導體）
功能類別：多制層封裝芯片
eStorage 密度：16 GB
eStorage 版本：嵌入式多媒體卡 5.1
DRAM 密度：24 Gb
DRAM 類型：三代低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
封裝：221FBGA
速率：1866 Mbps
產品狀態：批量生產
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