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STU1HN60K3
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ST意法半導體公司完整型號:STU1HN60K3

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

系列:SuperMESH3?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.2A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8 歐姆 @ 600mA, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):9.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):140pF @ 50V

功率 - 最大值:27W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

供應商器件封裝:I-Pak


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