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STL18N60M2
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ST意法半導體公司完整型號:STL18N60M2

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT

系列:MDmesh II Plus

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):9A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):308 毫歐 @ 4.5A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):21.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):791pF @ 100V

功率 - 最大值:57W

安裝類型:*

封裝/外殼:4-PowerFlat HV

供應商器件封裝:PowerFlat(5x6)


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