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STI360N4F6
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ST意法半導體公司完整型號:STI360N4F6

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

系列:DeepGATE, STripFET VI

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):120A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 60A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):340nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):17930pF @ 25V

功率 - 最大值:300W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應商器件封裝:I2PAK(TO-262)


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