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STB42N60M2-EP
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ST意法半導體公司完整型號: STB42N60M2-EP

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK

系列: MDmesh M2

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 34A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 87 毫歐 @ 17A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 55nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 2370pF @ 100V

功率 - 最大值: 250W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝: D2PAK


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