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STB26NM60ND
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ST意法半導體公司完整型號:STB26NM60ND

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

系列:FDmesh? II

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):21A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):175 毫歐 @ 10.5A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):54.6nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1817pF @ 100V

功率 - 最大值:190W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:D2PAK


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