91偷拍一区二区三区精品-91图片-91外教网-91外围-91玩-91网

NP80N055PDG-E1B-AY >>> 瑞薩芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供瑞薩公司NP80N055PDG-E1B-AY報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！

采購NP80N055PDG-E1B-AY？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！

Renesas瑞薩完整型號：NP80N055PDG-E1B-AY

制造廠家名稱：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：55V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：6.6 毫歐 @ 40A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：135nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6900pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：TO-263