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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: US6K4TR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

系列: -

FET 類型: 2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）: 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 1.5A

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: 180 毫歐 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 110pF @ 10V

功率 - 最大值: 1W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝: TUMT6