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ROHM羅姆半導體完整型號: US6J11TR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

系列: -

FET 類型: 2 個 P 溝道（雙）

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）: 12V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 1.3A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 260 毫歐 @ 1.3A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 2.4nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 290pF @ 6V

功率 - 最大值: 320mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應商器件封裝: UMT6