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SP8M10TB
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: SP8M10TB

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

系列: -

FET 類型: N 和 P 溝道

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 7A,4.5A

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 25 毫歐 @ 7A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 8.4nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 600pF @ 10V

功率 - 最大值: 2W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝: 8-SOIC N


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