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RZM002P02T2L
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ROHM羅姆半導體完整型號: RZM002P02T2L

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,1.2V 驅動

漏源極電壓(Vdss): 20V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 200mA(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 1.2 歐姆 @ 200mA,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 1.4nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 115pF @ 10V

功率 - 最大值: 150mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-723

供應商器件封裝: VMT3


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