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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RW1A030APT2CR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動

漏源極電壓（Vdss）: 12V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 3A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 42 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 22nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 2700pF @ 6V

功率 - 最大值: 700mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝: 6-WEMT