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RGT8NS65DGTL
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ROHM羅姆半導體完整型號: RGT8NS65DGTL

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: IGBT 650V 8A 65W TO-263S

系列: -

IGBT 類型: 溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650V

電流 - 集電極(Ic)(最大值): 8A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 12A

不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2.1V @ 15V,4A

功率 - 最大值: 65W

開關能量: -

輸入類型: 標準

柵極電荷: 13.5nC

25°C 時 Td(開/關)值: 17ns/69ns

測試條件: 400V,4A,50歐姆,15V

反向恢復時間(trr): 40ns

封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

安裝類型: 表面貼裝

供應商器件封裝: LPDS(TO-263S)


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