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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RGT30NS65DGTL

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: IGBT 650V 30A 133W TO-263S

系列: -

IGBT 類型: 溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 650V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 30A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 45A

不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，15A

功率 - 最大值: 133W

開關(guān)能量: -

輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷: 32nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值: 18ns/64ns

測試條件: 400V，15A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）: 55ns

封裝/外殼: TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

安裝類型: 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝: LPDS（TO-263S）