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QS8M13TCR
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: QS8M13TCR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

系列: -

FET 類型: N 和 P 溝道

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 6A,5A

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 28 毫歐 @ 6A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 5.5nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 390pF @ 10V

功率 - 最大值: 1.5W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線

供應(yīng)商器件封裝: TSMT8


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