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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): QS8M12TCR

制造廠家名稱(chēng): Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

系列: -

FET 類(lèi)型: N 和 P 溝道

FET 功能: 邏輯電平門(mén)

漏源極電壓（Vdss）: 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 4A

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: 42 毫歐 @ 4A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 3.4nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 250pF @ 10V

功率 - 最大值: 1.5W

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝: TSMT8