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ROHM羅姆半導體完整型號: EMB10T2R

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

系列: -

晶體管類型: 2 個 PNP 預偏壓式（雙）

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 50V

電阻器 - 基底（R1）（歐姆）: 2.2k

電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）: 47k

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）: 300mV @ 250μA，5mA

電流 - 集電極截止（最大值）: 500nA

頻率 - 躍遷: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-563，SOT-666

供應商器件封裝: EMT6