- 產品型號:TF412ST5G
- 制 造 商:ON(安森美半導體)
- 出廠封裝:3-XFDFN
- 功能類別:JFET結點場效應
- 功能描述:JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
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ON安森美半導體完整型號: TF412ST5G
制造廠家名稱: ON Semiconductor
功能總體簡述: JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
系列: -
FET 類型: N 溝道
電壓 - 擊穿(V(BR)GSS): 30V
漏源極電壓(Vdss): 30V
不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss): 1.2mA @ 10V
漏極電流(Id) - 最大值: 10mA
不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關): 180mV @ 1μA
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 4pF @ 10V
電阻 - RDS(開): -
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-XFDFN
供應商器件封裝: SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
功率 - 最大值: 100mW