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NTTS2P03R2G
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ON安森美半導體完整型號:NTTS2P03R2G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2.48A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):85 毫歐 @ 2.48A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):22nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):500pF @ 24V

功率 - 最大值:600mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)

供應商器件封裝:Micro8


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