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NTMS4P01R2
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ON安森美半導體完整型號:NTMS4P01R2

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.4A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 4.5A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):35nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1850pF @ 9.6V

功率 - 最大值:790mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應商器件封裝:8-SOIC N


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