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NTMFS5830NLT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NTMFS5830NLT1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):28A(Ta),172A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):113nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5880pF @ 25V

功率 - 最大值:3.2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN, 5 引線

供應(yīng)商器件封裝:5-DFN, 8-SO 扁引線 (5x6)


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