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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NTMFD4C86NT1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

系列: -

FET 類型: 2 N 溝道（雙）非對稱型

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 11.3A，18.1A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 5.4 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 22.2nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1153pF @ 15V

功率 - 最大值: 1.1W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝: 8-DFN（5x6）