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NTHS2101PT1G
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ON安森美半導體完整型號:NTHS2101PT1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):5.4A(Tj)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):25 毫歐 @ 5.4A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2400pF @ 6.4V

功率 - 最大值:1.3W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

供應商器件封裝:ChipFET


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