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ON安森美半導(dǎo)體完整型號：NTHD2110TT1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 6.4A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1072pF @ 6V

功率 - 最大值：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：ChipFET