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NTHD2102PT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NTHD2102PT1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

系列:-

FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):3.4A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):58 毫歐 @ 3.4A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):16nC @ 2.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):715pF @ 6.4V

功率 - 最大值:1.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

供應(yīng)商器件封裝:ChipFET


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