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NTHC5513T1G
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ON安森美半導體完整型號:NTHC5513T1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N/P-CH 20V 1206A

系列:-

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2.9A,2.2A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2.9A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):180pF @ 10V

功率 - 最大值:1.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

供應商器件封裝:ChipFET


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