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NTD4969N-35G
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ON安森美半導體完整型號:NTD4969N-35G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):9.4A(Ta),41A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):9 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):9nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):837pF @ 15V

功率 - 最大值:1.38W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak

供應商器件封裝:I-Pak


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