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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NTD3808N-1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：16V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：12A（Ta），76A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：5.8 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1660pF @ 12V

功率 - 最大值：1.3W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應(yīng)商器件封裝：I-Pak