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NTD18N06G
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ON安森美半導體完整型號:NTD18N06G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):18A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):60 毫歐 @ 9A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):710pF @ 25V

功率 - 最大值:55W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝:DPAK-3


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