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NIF9N05CLT1G
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ON安森美半導體完整型號:NIF9N05CLT1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):59V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2.6A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.6A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):250pF @ 35V

功率 - 最大值:1.69W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA

供應商器件封裝:SOT-223


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