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NGTB50N60L2WG
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NGTB50N60L2WG

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:IGBT 600V 50A TO247

系列:-

IGBT 類型:溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100A

Current - Collector Pulsed (Icm):200A

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):1.8V @ 15V,50A

功率 - 最大值:500W

Switching Energy:800μJ (開), 600μJ (關(guān))

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge:310nC

25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:110ns/270ns

Test Condition:400V, 50A, 10 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):67ns

封裝/外殼:TO-247-3

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247


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