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ON安森美半導體完整型號：NGTB30N120IHRWG

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 60A 384W TO247

系列：-

IGBT 類型：溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.5V @ 15V，30A

功率 - 最大值：384W

Switching Energy：700μJ （關）

輸入類型：標準

Gate Charge：225nC

25°C 時 Td（開/關）值：-/230ns

Test Condition：600V, 30A, 10 歐姆, 15V

反向恢復時間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-247-3

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247