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NGTB25N120LWG
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ON安森美半導體完整型號:NGTB25N120LWG

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

系列:-

IGBT 類型:溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):50A

Current - Collector Pulsed (Icm):200A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.3V @ 15V,25A

功率 - 最大值:192W

Switching Energy:3.4mJ (開), 800μJ (關)

輸入類型:標準

Gate Charge:200nC

25°C 時 Td(開/關)值:89ns/235ns

Test Condition:600V,25A,10 歐姆,15V

反向恢復時間 (trr):-

封裝/外殼:TO-247-3

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-247


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