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ON安森美半導(dǎo)體完整型號：NDT01N60T1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：400mA（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8.5 歐姆 @ 200mA， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.2nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：160pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商器件封裝：SOT-223