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NDD04N60ZT4G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NDD04N60ZT4G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.1A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):29nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):640pF @ 25V

功率 - 最大值:83W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:D-Pak


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