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MJD112G
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ON安森美半導體完整型號:MJD112G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

系列:-

晶體管類型:NPN - 達林頓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):2A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):3V @ 40mA,4A

電流 - 集電極截止(最大值):20μA

不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V

功率 - 最大值:1.75W

頻率 - 躍遷:25MHz

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝:DPAK-3


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