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ON安森美半導體完整型號：J112G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 35V 350MW TO92

系列：-

FET 類型：N 溝道

電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：35V

漏源極電壓 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：5mA @ 15V

漏極電流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：1V @ 1μA

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

電阻 - RDS（開）：50 歐姆

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 標準主體

供應商器件封裝：TO-92-3

功率 - 最大值：350mW