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ON安森美半導體完整型號：EFC6601R-TR

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH EFCP

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：-

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：-

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：48nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-XFBGA

供應商器件封裝：6-EFCP （2.7x1.81）