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ECH8697R-TL-W
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ON安森美半導體完整型號: ECH8697R-TL-W

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28

系列: -

FET 類型: 2 N 溝道(雙)共漏

FET 功能: 邏輯電平柵極,2.5V 驅動

漏源極電壓(Vdss): 24V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 10A

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 11.6 毫歐 @ 5A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 6nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): -

功率 - 最大值: 1.5W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線

供應商器件封裝: 8-ECH


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