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ECH8305-TL-E
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ON安森美半導體完整型號: ECH8305-TL-E
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 4A ECH8
系列: -
FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅動
漏源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 4A(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 85 毫歐 @ 2A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 34nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1680pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應商器件封裝: 8-ECH


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