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BS108G
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ON安森美半導體完整型號:BS108G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):250mA(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8 歐姆 @ 100mA,2.8V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):150pF @ 25V

功率 - 最大值:350mW

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體

供應商器件封裝:TO-92-3


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