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3LP01C-TB-E
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ON安森美半導體完整型號: 3LP01C-TB-E

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET P-CH 30V 100MA CP

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,2.5V 驅動

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 100mA(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 10.4 歐姆 @ 50mA,4V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 1.43nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 7.5pF @ 10V

功率 - 最大值: 250mW

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應商器件封裝: *


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