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3LN01C-TB-E
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): 3LN01C-TB-E

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 150mA(Ta)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 3.7 歐姆 @ 80mA,4V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 1.58nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 7pF @ 10V

功率 - 最大值: 250mW

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *


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