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2SK536-TB-E
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:2SK536-TB-E

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):50V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100mA(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20 歐姆 @ 10mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):15pF @ 10V

功率 - 最大值:200mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝:SC-59


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