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2SJ661-1E
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:2SJ661-1E

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 60V 38A

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):38A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):39 毫歐 @ 19A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):80nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4360pF @ 20V

功率 - 最大值:1.65W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3


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