- 產品型號：PQMB11Z
- 制 造 商：Nexperia（安世半導體）
- 出廠封裝：DFN1010B-6
- 功能類別：雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置-晶體管
- 功能描述：TRANS PNP/PNP RET 6DFN
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Nexperia公司器件型號：PQMB11Z
制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離
功能總體描述：TRANS PNP/PNP RET 6DFN
所屬類別：雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置-晶體管
系列：汽車級，AEC-Q101
零件狀態：在售
晶體管類型：2 PNP 預偏壓（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值）：100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：10k
電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）：10k
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：30 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：150mV @ 500μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）：1μA
頻率 - 躍遷：180MHz
功率 - 最大值：230mW
安裝類型：表面貼裝
封裝形式：6-XFDFN
Nexperia公司標準封裝：DFN1010B-6
PQMB11Z的標準包裝數量(SPQ)：5000 PCS
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